PMOS的1/f噪声比NMOS低是因为PMOS是埋沟器件，为什么，什么是埋沟？ 第1页
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1/f noise虽然机理仍在研究中，但确实NMOS的要比PMOS强，一般解释如下：
1/f noise主要由栅氧/沟道附近的氧化物陷阱引起的，它会通过俘获或发射与沟道交换载流子，从而引起载流子数量的涨落，另外也会通过库伦散射引起沟道载流子迁移率的涨落。电子的迁移率高，有效质量也比空穴小得多，所以迁移率容易受到缺陷的影响以及容易和缺陷交换载流子，所以一般NMOS的1/f会差一些。
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