百科问答小站 logo
百科问答小站 font logo



PMOS的1/f噪声比NMOS低是因为PMOS是埋沟器件,为什么,什么是埋沟? 第1页

  

user avatar   sixpence-61 网友的相关建议: 
      

1/f noise虽然机理仍在研究中,但确实NMOS的要比PMOS强,一般解释如下:

1/f noise主要由栅氧/沟道附近的氧化物陷阱引起的,它会通过俘获或发射与沟道交换载流子,从而引起载流子数量的涨落,另外也会通过库伦散射引起沟道载流子迁移率的涨落。电子的迁移率高,有效质量也比空穴小得多,所以迁移率容易受到缺陷的影响以及容易和缺陷交换载流子,所以一般NMOS的1/f会差一些。




  

相关话题

  如何看「任正非首次表态愿向苹果开放5G芯片」?有什么意义? 
  明明手机的CMOS利润额要远高于传统相机行业。为什么佳能和尼康不研发手机CMOS传感器? 
  如何看待 IBM 已开发出全球首个 2 nm芯片?这对芯片行业来说有什么重要的意义? 
  日本芯片制造商还有没有竞争力? 
  如何看待英特尔发布的澄清公函,「关于新疆的段落只出于表述合规合法的初衷,并非它意或表达立场」? 
  IC相关从业者需要常关注哪些网站、微博、公众号? 
  FPGA是万能芯片,那为什么还有那么多芯片公司,那么多型号的芯片? 
  为什么说关于芯片我们不必过于焦虑? 
  最近很多文章分享「英媒称:如果中国克服了芯片问题,那么芯片将一文不值」,如何看待这一说法? 
  如果美国开放芯片了 国产芯片怎么办? 

前一个讨论
在电路中引入负反馈后,电路一定处于稳定状态。正确吗?
下一个讨论
2022了akgk701可以手机直推吗?





© 2025-05-25 - tinynew.org. All Rights Reserved.
© 2025-05-25 - tinynew.org. 保留所有权利