这个65nm/45nm/28nm/14nm/12nm/7nm倒谈不上CPU的制程,一般这是FET的栅极间距线宽的数字,这些数字的变迁往往代表着芯片微缩的幅度,即你可以理解为理想状态下,栅极间距缩小,晶体管整体也会缩小,平面雕刻的FET按照摩尔定律的要求,每代力争密度提高2倍,所以这个间距一般为根号2的幅度微缩(平方就是2了)。当然进入finfet时代,如果你真的按根号2的比例来微缩晶体管,大概就是根号2的立方了,比如Intel 10nm相比14nm,最大密度提高2.7倍,就是接近根号2的立方,但由于Intel10nm的前车之鉴,现在没人真的这么干了
当然一般大致按0.7来算,所以65nmX0.7是45.5,45.5X0.7是31.85,大致形成了65nm到45nm到32nm到22nm到14nm到10nm到7nm的历程,由于乘的数并不是什么整五整十,甚至只是个奇数7的小数点的数,也就很难遇到整十整十的数连着出现,当然目前完全遵循这个全代工艺规律的只有Intel,号称摩尔定律捍卫者的,所以问题来了,这里没有提到28nm 12nm啊,那就要说半代工艺了,早年Intel工艺领先,在摩尔定律驱动下制程遥遥领先对手,台积电逐渐使用一种叫半代工艺的说法来与Intel进行对标,比如90nm到65nm之间,有80nm,65nm到45nm之间有55nm,这种说法表示介于两者之间,有过渡节点的意味,所以55nm后有40nm,然后有28nm,然后有20nm,其实还是基于X0.7的规律来的。
尤其是自从10年前的40nm世代开始,由于intel已经率先在08年以45nm HKMG工艺量产,标志传统IDM已经无法与其竞争的情况下,比如IBM等IDM逐渐也进行外包生产,此时代工厂已经统一口径推出半代工艺,所以你会发现台积电这样的代工厂没有32nm,22nm这样的工艺,而是与intel这样的全代工艺错开,CPU上的intel和AMD还会使用全代工艺,SOC已经跟随代工厂使用半代工艺,当然随着Intel工艺停滞,台积电也用不着用什么半代工艺的说法来遮遮掩掩了,台积电自10nm后,也是10nm 7nm 5nm 3nm这样作为大节点推进,当然严格来说还有个6nm,其实也可以理解为7nm与5nm之间的东西。
至于制程能不能跨代,那肯定能啊,中芯不是已经量产14nm了吗,从28到14还不算跨代?至于直接研制7nm的问题,我觉得不要整天想这些,没啥意义,如果这只是个数字游戏,你只要做一个比14nm好的,你愿意叫7nm也行,如果你想造台积电7nm的产品,那其实是一个深刻的社会问题,技术只是一个较小的方面
不需要,我已经几乎两年没用过有线充电了。
把常用场合都部署好无线充电以后,真的不用操心换手机换充电器之类的事情。
其实很简单的一个问题:取消耳机口之后,各位是改用L口耳机C口耳机,还是改用无线耳机?我曾经以为会普及L口或者C口耳机,然而现实就是无线耳机开始普及。
无线充电座普及之后,由于它没有插拔,所以她的寿命其实远比手机要长。
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所以,如果你没有无线充,强烈建议你尝试无线充。