Source Power,源功率,加在上电极
Bias Power,偏置功率,加下电极,即硅片侧
通过控制Bias Power,即偏置功率,可以增强等离子体的方向性,改变刻蚀过程中的深度,侧墙角度负载效应;
此外还与腔体的压力有交互作用;
刻蚀是一个复杂的过程,除了源功率&偏置功率,使用的气体比例,腔室的压力,刻蚀对象的表面形貌都会同时对结果造成影响
具体可以看 Pulsed plasma etching for semiconductor manufacturing