电子显微镜也不是很贵。
砸开看一下就知道了。
当然, 大家家里不是都自备电子显微镜。
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关于这个话痨的答主以及它的很散的散文:
。。
多谢您阅读本回答。
你以为台积电的5mm是物理5nm ?
会被发现,从几个维度上被发现:
1.被研究机构发现
国外有多家知名研究机构,典型如 TechInsights,还有 WikiChip,都很喜欢去仔细量一量尖端工艺的晶体管、标准单元到底各部分尺寸如何...主要是 Fin Pitch(FinFET 的那个鳍间距),还有 Gate Pitch 之类的,然后公布出来;还喜欢画张图,表示不同厂商不同工艺的晶体管密度(下图)。
Intel 只要敢造出来,人家就敢买回去量一量,然后告诉大家,这货其实是 14nm+++++++...
(虽然我不清楚他们是怎么“量”的,但实际上在供应链上,原本就有为制造商提供这种“量测”服务的企业,典型的比如美国的 KLA,算是测试测量领域的重要环节吧——当然人家的测试测量主要是让企业发现生产缺陷、做良率分析的。我这边其实有演示图,但貌似人家不给放)
其实三星的 8nm 工艺就属于类似的东西——用 Wikichip 的话来讲,其实 8nm LPP 本质上是个 10nm+ 工艺,摘录我之前翻译自 Wikichip 的一段话:
“三星早前宣称,其 10nm 工艺的 gate pitch 是 64nm,Wikichip 从高通获悉实际的值应该是68nm。M1, Mx pitch 为 48nm(interconnect pitch)。在 8nm 这个节点上,这两个值分别是 64nm、44nm,相较 10LPP 节点的确有缩减,但缩减幅度比较有限,相比台积电 N7 的距离也不小。而且三星 8nm LPP 的 fin pitch 相较 10nm LPP 没有变化。”
所以光天化日之下,这种事做起来也并不好看...
2020.7.31 增加:说个有趣的,WikiChip 曾经对骁龙 855 做过分析,这颗芯片虽然大方向说用的是台积电 N7 工艺,但其实根据需要,一种工艺会针对不同的逻辑区域,提供不同的单元库选择。Wikichip 在分析后发现这颗芯片 CPU 部分的大小核心,选择的单元库就不一样。台积电的 N7 工艺逻辑单元库至少包含了 HD(低功耗)和 HP(高性能)两种,这两种单元库的晶体管密度是不同的,而骁龙 855 的大核心(Prime Core),采用的 HP 单元,另外两组核心用的是 HD 单元。
连这都能分析的出来,更何况代际宣传做假...
2.被用户发现
这个主要是使用层面的,毕竟媒体、爱好者都很喜欢搞跨代横评,两代产品一比功耗、发热,那还不是明眼就看得出来?即便大家没有确凿的证据,也可以公告天下:这代工艺未免也太水了。其实一些硬核用户,做更细致的分析,我相信可以发现个八九不离十的。
用了新工艺,可以提个频率之类的吧,频率稍微提一提,结果功耗大涨、效率大翻车,这个也还是相当丢人的。所谓的“新工艺”IPC 没提升、发热悲剧、效率在峰值性能下直线下滑,那估计还能面临个集体诉讼什么的。
3.有关数据杜撰
我觉得比较尴尬的一点是,如果假装这代工艺是 10nm,那你开发布会的时候要怎么说呢?起码一些必要的数据是必须公布的,比如讲讲这代晶体管结构怎么样,第几代 FinFET 了?用了第几代 high-k,一些关键层是怎么做曝光的,晶体管密度提升如何等等。
如果是假的,那全套数据都得事先编一编,才能公布给市场和媒体。这个事情还是比较尴尬的吧...就算撇开 Wikichip 这类机构,其实从更粗粒度去分析芯片,也可以让你的杜撰数据漏洞百出。
尤其如果微架构不变的话,那么工艺提升了,die size 应该会有个相应的缩减(照个 die shot,AnandTech 这种专业媒体分分钟给你标出整个 die 哪部分是 CPU core,哪部分是 cache,尺寸真的也是一目了然)——这种问题又怎么跟公众解释;
如果微架构也调了,工艺也提升了,那应该算是个大迭代了——一方面微架构怎么调的你需要说个 1、2、3 出来,有时还需要说说为什么这么调整。如果你用了更多的晶体管去实现某些 feature,那究竟是否需要这些 die size,其实也可以做些理论分析。而且假装微架构、工艺都提升,结果实际连 IPC 都没怎么变,这怎么忽悠呢?
另外,很多国家机构、商业企业都会针对尖端产品去搞逆向工程——像 Intel 这种龙头企业更是如此了,活在聚光灯下的代价就是这样;苹果、高通、华为这种亦如是。
如果你是个小厂,宣称自己搞了个什么先进工艺,人家可能还懒得理你,但在聚光灯下公然虚假宣传,我觉得还是相当丢人的...
私货,我写的 Intel 10nm 的介绍文章:
其实从编程的角度,这种设计是需要严格禁止的。
换句话说:外表相似但实质表现不同的函数,我们需要把它的接口或者名称有意做得不同,避免误用。
所以:这个商品的设计师,它肯定不懂编程。
如果是我,可能会刻意的改变USB插座的位置布局,让它看起来长得不一样。——至少改变一下USB插口的颜色。
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老插线板名义上是 5V2A 的 10W 插线板,实际上是单口输出最大2A,多口同时输出的情况下,它的实际表现大约是 5V1A,也就是苹果那个万年诟病充电头的水平。——换句话说,旧插线板的USB接口,几乎是没有什么用处的鸡肋。
新插线板,号称单口27W,多口的情况下肯定会缩水,但我猜测至少QC3.0快充是可以用的。相比旧板子应该说是从协议层面有了很大进步。一个典型的例子是接无线充电器不需要浪费充电头了。
解释一下:小米目前的无线充是 30W,需要30W的充电头,但商城只有 18W 跟 65W 的充电头出售,小米商城根本没有适配无线充的 30W 充电头。如果插这个接线板,大概能当 27W 用吧?
淘宝刷U盘服务欢迎光临
之前专门写过一篇文章写过IC相关的网站和公众号,很适合这个回答。
以下为文章的原内容:
十佳优秀网站及其公众号:
1、EETOP-易特创新(公众号:eetop-1)
EETOP电子网(ET创芯网)国内知名的半导体行业媒体、半导体论坛、IC论坛、集成电路论坛、电子工程师博客、工程师著名社区(150万会员),同时也是电子资料免费分享平台!
这个网站几乎涵盖了电子工程的各个方面,上面的资料也是非常的齐全。目前注册需要购买一个邀请码10元,不知道大家有没有免费注册的方式,欢迎分享!
网址:
2、CSDN(公众号:CSDNLIB)
中国专业IT社区CSDN (Chinese Software Developer Network) 创立于1999年,致力于为中国软件开发者提供知识传播、在线学习、职业发展等全生命周期服务。
CSDN相对来说涵盖的方面就比较广了,移动端开发,大数据,人工智能,IC等。
CSDN注册免费,通过发帖灌水,上传资源获取积分,便可以下载资料了。
网址:
3、IC设计小镇(公众号:ictown_com)
IC设计小镇应该是唯一一家专门做IC的网站了,从数字到模拟再到FPGA,从设计到制造,从封装到测试,涵盖了芯片的整个生命周期,免费注册,十分推荐!
网址:
4、摩尔精英(MooreElite)的公众号也值得关注, 摩尔精英是领先的芯片生态链公司,使命是“让中国没有难做的芯片”,提供一站式的“芯片设计、流片封测、人才服务、企业孵化”等。
5、博客园(公众号:cnblogs_com)
博客园创建于2004年1月,是一个面向开发者的知识分享社区。自创建以来,博客园一直致力并专注于为开发者打造一个纯净的技术交流社区,推动并帮助开发者通过互联网分享知识。
网址:
6、电子工程师专辑(公众号:eet-china)
电子工程专辑为亚洲及中国的电子工程师社群提供及分析最新工业和科技趋势 ,丰富的电子设计技术论文,应用实例和市场研究报告等; 为业界最知名,具有权威性的电子技术网站。@电子工程师专辑
网址:
7、电子发烧友网(公众号:elecfans)
电子发烧友网站提供各种电子电路,电路图,原理图,IC资料,技术文章,免费下载等资料,是广大电子工程师所喜爱电子资料网站。
网址:
8、中国电子技术网
中电网是电子元器件门户,为中国电子工程师提供电子电路资讯、电子技术文章、电子资料免费下载、电子行业分析、最新的电子产品以及行业人才培训。
网址:
9、21IC中国电子网
21IC中国电子网, 中国电子工程师的优选网站包含嵌入式,单片机,DSP,EDA,测试测量,元器件,医疗电子,智能电网等前沿科学内容!
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10、电子工程世界
电子工程世界(EEWorld)是一家专为中国电子工程师和电子设计主管提供电子技术开发应用资讯的网络传媒。其内容服务核心是快速传播半导体集成电路领域电子元器件的最新技术!
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其余IC设计优秀公众号:
1、OpenIC (Wingo_IC)
专注于数字芯片设计,可测性设计(DFT)技术的分享,芯片相关科普,以及半导体行业时事热点的追踪。
2、陌上风骑驴看IC(MoShangFengQiLv)
3、半导体行业观察 (icbank)
最有深度的半导体新媒体,实讯、专业、原创、深度,50万半导体精英关注!专注观察全球半导体最新资讯、技术前沿、发展趋势。
4、 路科验证 (Rocker-IC)
由验证大牛路桑创办,专注数字芯片验证的系统思想和前沿工程领域!
5、白话IC(gray_mount)
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