不懂SiO2多晶,只说薄膜(几层原子,没有晶界,类似于单晶)。如果SiO2的尺寸跟透明性(光吸收常数K)有关的话,我们半导体行业量测1nm左右的SiO2薄膜时,就会在可见光段用K大于0的模型。
事实上对SiO2没有,我们还是用标准的K=0的模型就能量测得很好。除非SiO2掺杂了一些其它元素,在紫外190nm附近才有小的K值。
再随便扯扯多晶,乱说的,不要当真。在三年的半导体光学量测工作中我唯一遇到的多晶材料就是silicon,它的光学dispersion(N,K)会随着不同热处理工艺(从amorphous silicon到poly silicon最后到单晶silicon)变化(amorphous silicon在可见光长波段有较大K值,显得更不透明,而后两者在可见光长波段K值较小)。所以类似地,我在想,如果多晶SiO2的话晶界处原子一般认为最接近于amorphous的状态,是不是晶界的dispersion会跟晶内会有不同,是不是也会有K值?如果有K值,当晶粒越小的话,晶界占总体积百分比增加,就会越不透明?