谢邀。题主问的是DRAM领域相关的问题吗? bit-line pre-charge?
我没有参加过相关项目,所以只从我个人的理解猜测一下~~
关于为什么需要预充:
SA作为一个模拟模块,有输入共模范围的要求;而bit-line正常工作时为Hi-Z。因此必然需要某种手段(例如预充电)来定义bit-line的共模电压。
此外,和bit-line相连的mos swtich也需要bit-line维持在期望的DC工作点,其On/Off状态才是正确的。
关于预充到什么电压:
类似的,SA会有要求,取决于它的输入级结构和器件类型,但是我猜这应该不是最主要的限制,完全可以先确定共模电压范围再来针对性的设计SA。
最主要的决定因素应该是bit-cell mos-switch的漏电流,过高/过低的bit-line预充电压会增加bit-cell存储0/1状态下的漏电流,导致刷新频率下限恶化。