索尼IMX128和索尼IMX410在规格上有什么不同？ 第1页

谢邀，你要问的其实是“即将推出的尼康入门全画幅无反相机 Z 5 可能采用的 CMOS 规格以及 CMOS 选择对性能的影响”吧？

先介绍一下几枚可能使用的 CMOS：

IMX128

IMX128，5.97um 模拟层，Exmor OCADC，前照式设计，使用 sub-LVDS 8 通道读出，可外卖。全像素读出速度并不太快，6.9FPS，这个指标也反映在使用它的产品上：

这枚 CMOS 还有另外一个特点，就是没有片上相位对焦——至少目前没有出现定制了 OCPDAF 的版本。

IMX157

IMX157 其实和 IMX128 使用了同样的模拟层，可以说是 IMX128 小改版，但是在功耗控制和读出速度上有所改善，最后速度达到了全像素读出 10FPS，如果想要用它做一个全画幅 2400 万像素 10FPS 连拍的单反理论上也是可以的，另外，这枚 CMOS 目前出现的版本都是带相位对焦的。

此前已经多次在回答中提到过无反结构对 CMOS 速度提出了更高的要求，可以看到即使是 10FPS 的 CMOS，在 ISP 性能不够强大、功耗控制不够理想、薄型高速机械快门尚未成熟的情况下也只能运行在 5.0FPS，而 α99 凭借着更接近单反的半透膜结构实现了 10.0FPS 的连拍。

IMX157 在 α7 II 上的 OCL 经过了一些改动，解决了一代机型光线入射角过大时引起的绿色炫光问题，

IMX410

IMX410 大家就都很熟悉了，最近索尼半导体外卖颇受欢迎的型号。

模拟层制程与 IMX128/157 不一样，使用的是 5.94μm 技术，因此总像素略高一点，来到 2450 万，但是技术换成了 ExmorR 背照式，这意味着把电路移到了感光层下面，因此能获得很多优势，包括减少串扰，进一步提升 QE 什么的，总之就是画质更好了。

同时由于不用担心对电路对感光层遮挡造成影响，可以设计更加复杂的电路，布置更多 ADC，所以读出速度来到了 19FPS，同时也加入了新的双增益设计，在高 ISO 的时候介入可以实现动态范围的提升，这也是 IMX410 机型高感性能优秀的原因。

由于大幅提升的读出速度，所以也提供了两种总线可以选，传统的 sub-LVDS 8 通道，和高速 SLVS-EC 8 通道，不过后者似乎只存在于索尼自己的 α7M3 上。

片上相位对焦是可选的，有的机器有有的机器没有，全看客户需要。

Z 5

Z 5 的定位是入门级全画幅无反，主要是针对拍照用户，所以连拍性能和视频性能不是它的重点，介于它的定位，使用 IMX128/157 的可能性还是不小的。

IMX128/157 主要问题是其读出速度并不算优秀，所以就算硬上给个 4K 视频拍摄功能估计也是点对点，大概 1.7x 裁切吧——欸好像和隔壁 EOS R/Rp/5D Mark IV 一样……对于这个定位的机器，4K 就是白送的，能有就不错了。

拍照方面 IMX128/157 还是非常老当益壮的，即使是在 2020，它低感表现依旧很能打，依旧领先竞品一个身位（佳能半导体请务必加油啊），高感的话因为 DCG 的缺失、QE 的落后和 IMX410 的机器还是有差距，不过和 EOS R/Rp 五五开是没啥问题。

毕竟最后产品香不香还是要看价格的嘛，就像 EOS Rp 还能卖得不错一样，要是把价格给干到和 Z 50 差不多，那还不是香气逼人？我个人觉得 Z 5 配合 Z 50mm f/1.8 S-Line 应该会是一套很不错的全画幅摄影入门机。

需要注意的是本文标注的连拍速度均为最高速度，连续自动对焦是否开启、bit depth 设置等设置可能会导致实际使用中的连拍速度降低，本文仅讨论 CMOS 极限性能。