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如何评价「天才少年」曹原再次连发两篇魔角石墨烯的 Nature? 第1页

  

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谢邀,利益相关,本人算是这个大community中的一员。这两篇文章都是2018年两篇twisted bilayer graphene文章自然的follow-up,两篇文章讲述了两个风格迥异的故事,也展现了人们对凝聚态物理探索的两个重要的方向。关于文章的详细解读两个高赞答案已经讲的非常好了,我这里就不再添足,自由发挥说些我想说的。

  1. Moiré material:全新的材料体系,全新的物理

在我看来,moiré materials无疑可以成为凝聚态物理中划时代意义的发明,尤其在twisted bilayer graphene (tBLG) 超导的发现之后。其重要的意义可以简单得概况为,这种材料解放了一个全新的参数空间,其能量,长度等尺度与以往材料完全不同。有位老师曾经讲过,没有任何物理理论可以排除室温超导体的存在,只要把 很低的超导体所有相关的能量参数增加几十倍就可以了。材料的参数空间意义就在于此,为了研究某些物理现象,我们需要在现实世界很难达到的一些极端环境,温度小于1mK,磁场大于100T等等对于大多数材料目前几乎都是不可能实现的。然而,通过精心选择和构建材料,我们可以想办法在不那么极端的条件下,研究我们需要的物理。

在我已知的范围内,最早与moiré materials相关的研究,是对graphene/h-BN moiré materials在磁场中的Hofstadter's butterfly的观察。这是一个十分漂亮的理论预言,在1976年由Hofstadter提出,当每个lattice中的磁通量可以与量子磁通 相比时,能带会出现漂亮的分形结构。然而考虑到晶格的大小通常只有~0.1nm,所需要的外加磁场至少为几万Tesla,远远超过了人类目前所能达到的极限。不过moiré materials的superlattices的晶格大小为~10nm,所以在几十Tesla的磁场下这种效应就十分显著了。这也是moiré materials最直观的参数:晶格长度的改变。

不过随着对moiré materials认识的加深,人们发现晶格长度的改变带来的意义远不止如此。在传统材料中,保持晶格不变,每个晶格增加或者减少一个电子是完全不可能的,毫无疑问体系中巨大的Coulomb相互作用会使材料直接解体。想要达到这种要求只能靠掺杂不同元素实现,这会对晶格本身产生不可忽略的影响。但是在moiré superlattices中这却变得很轻松,gate调制可以很容易做到每~10nm*~10nm的晶格中增减几个电子。同时,相关的能量尺度也会随着长度产生显著的变化。基本的固体物理告诉我们,电子的动能

其中 为晶格常数, 是电子的有效质量。而电子间的相互作用,可以简单估计为

可以看到随着晶格常数的增大, ,电子间相互作用变得越来越不可忽略。而电子间的相互排斥会阻止电子在晶格之间的跃迁,也就形成了Mott insulator。虽然人们对实验观察到的电子绝缘态形成机制还有争议,但不可否认它一定来自电子间的强相互作用。

按照这个思路,人们可以继续寻找其他moiré materials中的有趣物理,尤其是电子间的强关联效应。实际上,最早观察到此种效应的tBLG反而是一个有趣的异类,因为其电子有效质量 ,只有在所谓magic angle附近,电子处于flat band,动能极小从而观察到强关联物理。

上面提到为使相互作用的效应足够强, 必须足够大。目前已知制备这类moiré materials的技术只有van der Waals 2D materials的堆叠,所以可以自然想到几种组合:rhombohedral (ABC)-stacked graphene/h-BN, TMDC/TMDC, twisted double bilayer graphene (tDBG), twisted mono-bilayer graphene等等。曹原在本篇文章中研究的就是tDBG。相对于最初的tBLG,tDBG的好处在于人们早就知道通过外加的垂直电场可以调节能带的宽度,相当于调节有效质量。所以,强关联物理可以不只局限于一个小的角度 (magic angle) 范围。曹原和所在的Pablo组并不是唯一一个对这种材料感兴趣的,其他人也提到Harvard的Philip Kim组,中科院物理所的张广宇组以及最近UWashington的Matthew Yankowitz组也做了类似的工作。

本文的第一幅图告诉了我们一个不太惊奇的结论:在非整数填充的条件下观察到了绝缘电子态,意味着电子间的强关联作用。不同于tBLG,垂直电场,即displacement field在tDBG中也扮演十分关键的作用,它直接影响了电子能带,只有在特定的电场区间,这种电子关联绝缘态才会出现。第二幅图则是对这些绝缘态的详细测量。这里非常有趣的是一点在绝缘态的一些金属态会出现很奇异的行为,随着温度降低电阻突然降低。有的组认为这是一种symmetry breaking (SB)导致的散射减少电阻降低[1],而有的组却发现电阻可以降低到0,形成超导态 (SC)[2]。目前对此种现象的理解不是特别充分,SC or SB还有待进一步的重复和测量。

图三继续讨论这个体系半整数填充的绝缘态的性质,并给出了它是spin-polarized态的证据。对于bipartite lattice spin configuration人们了解较多,但tBLG和tDBG这种三角形格子很可能出现spin frustration的现象。如果确定了自旋的基态是polarized,可以对理论模型提供很强的限制。不过这里我不太理解测量out-of-plane磁场下绝缘态有什么作用,并没有给出足够有效的信息,毕竟没有anomalous Hall effect已经排除了out-of-plane polarization,有Zeeman effect和orbital effect混杂在一起,数据会变得难以理解。相比之下in-plane的磁场的数据漂亮很多,也可以比较确定地给出g-factor的值。

图四展现了另一个不同twist angle tDBG的性质,文章中讨论不太多这里也不详细展开了。

总体而言整篇文章中规中矩,结论很初步不过值得探索的地方仍然很多,也期待各个研究组对这个体系的继续挖掘。

2. 样品本身的不均匀性:输运测量无法逾越的鸿沟

我一直坚持的一个观念是对电阻的测量在凝聚态物理中处于核心地位。费米面附近的电子是凝聚态物理现象最丰富,也是研究得最多的对象。电输运是对它相当直接的probe,再结合极端条件如低温和强磁场,可以给出非常重要的信息。不过它也有相当多的局限性,比如没有对能带的直接观测(需要ARPES etc.),也很难得到其他非电子型低能激发比如spin的信息(需要中子散射etc.)。但遗憾的是,研究目前的moiré materials这两种技术几乎派不上用场。ARPES很难兼顾能量分辨率和动量范围,中子则信号过于微弱需要海量样品。

输运测量还有一个巨大的缺陷。它是对样品整体的测量,那么测量的信号究竟从何而来?随着拓扑材料的发展,人们对区分体态和边缘态的输运已经习以为常,用Corbino disk等等各种奇怪的构型分开两者的贡献。但是一直无法避免的一个问题是:材料本身如果不均匀怎么办?你以为测到的超导,绝缘,其实可能都是各种不同的区域混杂在一起产生的现象,怎么能干净地分离出来?这也就导致了人们对空间分辨的追求,通过对样品局部的测量获得其不均匀程度的信息,相关的scanning probe和microscope技术是输运测量非常好的补充。

这就是另一篇Nature文章所要解决的问题。在针尖上制作的nano-SQUID具有非常高的空间分辨率和磁场灵敏度,可以直接看到电流密度 的分布。由于很多人对这个技术很不熟悉,作者特地写了很长的段落论述测量技术。首先要知道,nano-SQUID直接可以测量的物理量是 。作者在此巧妙地利用了modulation technique,在直流backgate的基础上加一个小的交流信号 ,这样通过lock-in amplifer测得的 。根据Biot–Savart定律,假设电流分布很集中,可以计算得到 ,并且 在电流的正上方时最大。由于edge current沿equipotential contours流动,在改变 的同时,电流也会选择相应的contour产生微小的位移,可以假设 近似是常数。综合起来,我们可以得到一个粗略的结论,我们测量的 。已知电流密度的分布 后,就可以根据edge current判断对应区域的filling factor从而得到tBLG样品twist angle的分布 。

通过测量整个tBLG样品的 ,作者发现,即使排除非常明显的disorder区域,样品各处twist angle仍然有0.1°左右的改变,相对于magic angle = 1.1°可以说相当显著了。而且twist angle的分布也相当不均匀,有些地方会出现突然的变化( 很大)。作者用这种twist angle disorder解释了为什么有些magic angle tBLG devices中没有出现超导,为什么在某些gate下样品没有出现清晰的SdH振荡。

不得不说,这种twist angle disorder在目前阶段是很多物理学家不愿意看到的。对于一个很陌生的系统,其本身的不均匀性意味着我们测量的很多物理量都是不同区域的混合叠加,很难确切地分析某些物理现象究竟起源于何处。比如,在tBLG中一直看到的随温度非常缓慢变化的超导相变很可能就因为这种disorder,测得的绝缘态energy gap也很难让人信服。注意到文中只测量了twist angle disorder,在其他实验比如STM还发现了这类样品内的strain也非常明显,加上twist angle disorder带来的巨大的内建电场,使理论分析也不得不考虑这些副效应带来的影响。这种复杂的twist angle disorder很可能也与样品制备过程中的大量细节相关,也使得重复实验变得相对困难,看起来相同的devices得到的结果却未必完全一致,又进一步加深了理论分析的难度。

目前个人看来,整个community的当务之急就是发展出一种方法,尽可能减少这种disorder的存在。有些研究组比如Dmitri Efetov[3]发展的方法能显著改善这种disorder,但目前也没有相关的local twist angle测量。我甚至觉得,一定的local strain和disorder是使twisted materials stabilized的必然要求,可能无disorder的情况连metastable都不是。这可能是twistronics发展最大的隐患。

而相比于twisted homobilayer(上下两层材料相同,比如tBLG, tDBG),我更看好的是heterobilayer(上下两层材料不同,比如WS2/WSe2)形成的moiré materials,显然heterobilayer通常情况下并不存在metastable的问题。TEM/SEM的结果也告诉我们,通常heterobilayer的disorder程度相对并不严重[4][5][6]

这可能得益于heterobilayer层间的耦合相对于homobilayer较弱。总之我相信对heterobilayer moiré materials的研究很快会得到更多人的重视,至少可以得到更加清晰,干净的物理。

参考

  1. ^ https://arxiv.org/abs/2002.08904
  2. ^ https://arxiv.org/abs/1903.08130
  3. ^ https://www.nature.com/articles/s41586-019-1695-0
  4. ^ https://www.nature.com/articles/s41563-019-0346-z
  5. ^ https://arxiv.org/abs/1912.07446
  6. ^ https://www.nature.com/articles/s41586-019-0976-y

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谢邀。

邀请我干什么呢?

提示我就是个学术尘埃预备役吗?

人与人之间的差距大得就像智人和团藻,虽然看上去勉强都叫多细胞生物,但是……


user avatar   piao-xi-87 网友的相关建议: 
      

同做魔角趁热度(完全不同领域的概念),好几年后我做哭了。。。:'(

做的概念输了几个层次,搞出来的材料性质输了几个层次,发的文章档次输了几个层次,年纪还比较大。。。

从此摆正心态,每个人成名的周期不同。夜空中每颗星星都在发光发亮,科研加油!!!


user avatar   lian-lian-lian-19 网友的相关建议: 
      

这个问题一定要关注下,利益相关:在曹原就读过的中学工作过N年的教师一名。

昨天还看到之前学校公众号又专门发了文章拿曹原炒作,标题大概是这样

我对曹原本人没意见,但是希望学校不要再拿N年前的天才班出过的学生炒作了,炒作了大概快10年了吧,冷饭都快炒成熟米了,有意思么?

想起前年曹原登上nature十大人物学校还专门弄了一个巨大的横幅挂在操场炒作然后邀请曹回母校开讲座时又炒了一波新闻,然后上学期又开始筹备复制从前所谓的天才班面向全国招生,为此不惜牺牲别的20多人数国际班的大教室和学生的利益来容纳一个10个人不到的所谓天才班。。这也是导致我最后跳槽的重要原因,不好意思,并不想平白无故给学校管理的混乱背锅并无端忍受因为临时换教室带来的家长指责。


user avatar   zheng-han-95-95 网友的相关建议: 
      

匿名大佬已经讲了第一篇了。对量子霍尔效应(QHE)略有了解,稍微说一下第二篇吧。

不是做二维材料的水平有限,有疏漏评论区指出。


第二篇讲了一个很简单的故事,扭转双层石墨烯中出现的twisted angle disorder是怎么影响QHE的。

Twisted angle disorder这个概念非常直观。想象你睡觉盖两层被子,被子没对齐,两层之间有个整体的相对扭转 。同时,考虑被子还有褶皱,这就意味着每个小区域还有自己的局域相对扭转 。

大家最感兴趣的是魔角石墨烯(magic angle, ),这时候会有许多神奇的eletron-correlated效应,比如超导、莫特绝缘体等等。但是样品制备的时候总不会那么完美。就算整体相对扭转正好落在 1.08°,局域的褶皱也会让这个体系变的十分复杂。有的样品能出超导相,有的不能出。

为了具体的研究局域的褶皱对魔角石墨烯性质的影响,MIT的Pablo组和以色列魏茨曼研究所的E. Zeldov组合作,利用SQUID-on-tip(探针超导量子干涉仪)测量了魔角石墨烯中的量子霍尔边界态。SQUID是一种非常精细的磁传感器,利用约瑟夫森结(josephson junction)可以探测 大小的磁场。但是SQUID的问题是很难做到很小(之前都是~ ),所以虽然磁场分辨率爆炸,但是空间分辨率捉急。

E. Zeldov组在2013年的一篇nature nanotechnology[1]文章中解决了这个问题,把SQUID做成了针尖,尖端直径只有46nm。这样就使得的高空间分辨率的磁场测量成为可能,足以测量量子霍尔效应的边界态。

回到文章,这篇nature用SQUID-on-tip测量了两个样品device A和device B。

图一开始说,作者首先在device B上测量了最常规的磁输运(fig1.b&c)。这里没有什么新东西,之前测到的也都有。在Charge neutrality point零点两边有非常漂亮的Landau fan,这就是石墨烯的4-fold Landau level。在能级半满的时候( )出现莫特绝缘体相。在空穴side还出现超导相,aka左下角小蓝区域。超导相只有这么小一块,是因为磁场再大就摧毁了超导态了。

fig1.d 就开始用SQUID-on-tip测量了。我们都知道移动的电流会产生磁场(毕奥萨伐尔定律),同理如果材料出现了量子霍尔边界态,边界态里的电流也会诱导出一个微弱的磁场。这里测量的方法具体是保持tip不动,然后在直流电 的基础上通一个小的交流电 。这样的结果是,量子霍尔边界态电流也会有空间的微小位移。当incompressible strips扫过tip的时候,反映在磁场测量上就是一个peak,这也就是fig1.d里peak的来源。这里peak的位置和间隔可以让我们推导出朗道能级的信息,比如简并度 。由于这个peak十分的sharp,这也让我们可以精密的推算局域的电子密度 。更进一步的,从电子密度可以导出局域的扭转角度 。这个扭转角度测量相对误差可以达到 0.002° 的量级。

short summary:SQUID-on-tip可以测量局域磁场信息,并推算出局域电子密度、朗道能级简并度 、局域的扭转角度 等。


接着,第二张图。这里的故事比较简单,同样是用SQUID-on-tip测局域磁场,不过这里是扫描tip。我们发现,在fig2.a里的pattern弯弯曲曲的,这其实就是Landau level在空间上不均匀的体现。同时fig2.b&c&d也给出了扫描路线上,局域电子密度、扭转角度、和charge disorder的分布。

图三,最重要的结果。

作者用SQUID-on-tip扫描了device A、device B两个样品的全空间磁场分布。并用同样的结果推导出了局域扭转角度 和局域扭转角度梯度 。Fig3.b&c 对应device A,Fig3.f&g对应device B。

Fig3a和3e中就分别展示了两个样品A、B的局域磁场的分布。这里深蓝色的区域是量子霍尔边界态的compressible stripe,浅蓝/黄色区域是Incompressible stripe。通过比较我们发现,device B在空间中的量子边界态非常密集,而device A则相对稀疏。这是因为device A的质量更差,局域扭转角度偏移魔角太多,这直接导致很多区域根本就测不到量子霍尔边界态(比如fig3b中的黑色圆圈圈出的bubble)。而device B质量更好,在整块样品中都能出现密集的边界态。fig3d展示了朗道能级在空间上的tomography,feature很多在此不详细讨论了。

另外一个非常重要的点,传统二维材料的量子霍尔边界态只会出现在边界。但是在魔角石墨烯里,量子霍尔边界态却出现在bulk里。可以理解为,在小区域中有相对稳定的扭角(电子密度),在这些区域里就会出现量子霍尔效应边界态。而这些小区域不局限于材料的边界,在bulk内也能出现。


图四就更具体的讨论了下局域扭角的改变对电子输运会有什么影响。Fig4.f就给出了由于局域扭角的变化,朗道能级在空间中的波动,以及相应的量子霍尔边界态的物理。


写在最后:我不是做二维材料的,但是从行外人的眼里觉得这篇工作做的非常漂亮。Locally measure量子霍尔效应边界态已经不是什么新闻。但是这里能用在表征魔角石墨烯上,解释了局域扭角带来的丰富的物理,很有趣。最后作者也猜测,局域扭角虽然是一种disorder,但是很可能和我们关心的新奇电子关联性质(超导,莫特绝缘体等等)有深层次的联系。

Disorder在凝聚态里是一个非常重要的概念,一般我们讨论的都是electronic disorder或者magnetic disorder。但是在Twistronics中还可以有twisted angle disorder,非常fancy。


另外,国内的气氛非常喜欢造神。少年班+石墨烯+两年4篇nature,这个设定各大公众号可能已经开始编故事了。但是造神本身对科研本身没有帮助,甚至可能带来负面影响。2018年魔角石墨烯刚出来,国内铺天盖地的宣传。曹原本人也在回国的时候美签被check耽误了很久的学业。做学术,还是要闷声发大财。

科学家不是艺人,不需要太多的闪光灯。我们比较实诚,多来点funding多涨点工资就行。

参考

  1. ^ https://www.nature.com/articles/nnano.2013.169

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只看得懂前一篇,来说说这篇文章的科学贡献。

让我们先从头来看看各种转角碳基薄层异质结的物理特征。周期体系在经过非公度调制之后会得到一个更大的周期结构,在凝聚态系统中这样的超晶格体系往往都可以使用“能带折叠”的方法,即不断的将原来体系的布里渊区进行折叠操作。而MacDonald在2011年著名的PNAS中使用的,就是这样的思想。物理上,将原本石墨烯的布里渊区不断向两个能谷折叠,能谷处的狄拉克点会出现很多精细结构~meV,最后会得到一个在某个能谷附近的有效峰巢格子,其A格点属于上层石墨烯,B格点属于下层石墨烯,格点之间的三种跃迁即为层间跃迁在新的布里渊区也叫Moire布里渊区的投影。新的Moire BZ中的有效激发不再是满足原来石墨烯BZ的Bloch电子,而是满足Moire周期的Moire电子。可以想想,折叠之后的Moire BZ的体积极小,对应实空间的体积非常大,于是电子浓度非常稀薄,可以被上下的“gate”非常好的调制。

由前所论述,在Dual-gate的device中,电场的效应,磁场的效应( )都被大大的放大的。这种Moire电子良好的可调制性大大扩展了物理学家们能搜索的相空间——在这样的体系中,人们已经实现了(或者模拟了):Hofstadter蝴蝶,高温超导现象(?),Mott-Hubbard 绝缘态,可电场调控的铁磁性,量子反常霍尔效应(?)以及其电流、载流子浓度的调控。非碳基的体系上还实现了很多诸如wigner晶体之类的空间序。理论家们还预言了诸如分数化陈绝缘体,脆弱拓扑,高阶拓扑,光场致拓扑相变等等一系列从未观测到的新奇物态,是一个让物理学家们非常兴奋的体系。

好了,有了这样的背景让我们来看看这个文章做了什么。与此文之前的体系中,大家用的比较多的是单层石墨烯扭转之后形成的异质结。这样的异质结上已经看到了超导、相互作用引起的绝缘体,Hofstadter蝴蝶等等态。人们很自然的开始预言,两个双层石墨烯在扭转之后会产生什么样新奇的物态?

首先,这样的体系对称性比较低,由于不再具有C2T对称性,因此在点中性点附近的无能隙态可以被电场有效的打开gap,导带和价带和远方的带也能打开能隙,形成了“孤立”的能带,这两条能带依然比较平,甚至远方的带还可以很平,在此文中以"多平带"冠名。

一个自然的想法是,这样的体系中是不是也会出现超导态?这样的思想驱使着人们做更多的device来找这样的电子态。这篇文章和好几个组的twisted double bilayer graphene(TDBG)一样很早就挂在了arXiv上,其中不按照先后顺序包括:Asvin组的理论1903.08685,Philip Kim组的arXiv:1903.08130, Guangyu Zhang组的1903.06952v1,Pablo组的1903.08596(本文,看起来很快也要加上v1了)最后是Matt组的arXiv:2002.08904。一开始,前三篇文章说的是在这个体系中看到了超导态,除了PK组,其他组的已发表的工作中均已删除了这一论述。在arXiv:2002.08904中还详细讨论了多个devices以及多体态周围的相空间中测量到可能的超导信号(非线性微分电导),并将其归功于一个平庸的解释,居里热。

(可能)没有了超导态,人们还是把视野转向到了研究这样的多体关联绝缘态具有如何的性质。还是先看理论(即便出现在实验之后)。根据朗道对称破缺理论(先研究好研究的),不考虑空间对称性破缺,体系目前具有Valley(i.e., 在前面的“能带折叠”图像中,可以往不同的能谷折叠)和Spin对称性,在无相互作用模型中,Spin是完全简并的,Valley则由时间反演对称性互相联系。考虑这个体系的对称性破缺就变成了一个 可能的分解的问题,和TBG没有什么很大的区别。对于 等于2的态,也就是一个元胞有两个电子,可能的序包括自旋极化态谷极化态、自旋谷锁定态、谷间相干态,自旋-谷间相干态锁定态等。而对于一个元胞具有一个电子,对称性打破的更厉害,因此只能有自旋-谷完全极化态,自旋极化-谷间相干态,自旋谷锁定-谷间相干态。而简单的投影相互作用给出的Hatree Fock计算,认为可能的谷间相干态不太可能出现。物理上也比较好理解,这样的谷间相干态(类似于exciton的序参量)又承载着非零的Chern number,因此在K空间里一定要激发一些vortex结构(个数和Chern number 有关),在相互作用各向异性不大的时候,这样的态是更耗能的。

回归正文,这个Nature给出了体系的关联态是自旋极化态的实验证据。

图1给出了制作的器件的示意图,上下dual-gate,和是doping,差是电场。一些微小的注意事项是,这个器件使用的是“金属gate”,而非一般大家使用(保险,但更难,更可能没必要)薄层石墨gate。c d e展示了不同的角度的device电阻对浓度的依赖。可见很多角度都可以变得的非常厉害,有能带理论解释不来的态出现。然后f就给出了dual-gate的map。一个小问题是,为什么在Ns之外,体系没有变成一个金属,而依然比较绝缘?能想到的可能的解释是,设计金属gate的时候有一些瑕疵,使得电极处露出了一些多余的样品区域,使得在大电场的情况下contact变得非常差。一般出现这样的现象首先会想到用底下的silicon gate“亡羊补牢”。好了,忽略这些细节,最后一张图讲的是相互作用绝缘态载流子的浓度变了。

图2开始讨论这些态的a可调性,b变温,c"能隙"图,d暗示的超导态,efg能带图。注意到正如之前分析的,e中在0能隙附近有一个微微小的gap,这是由于twisted layer 有一个小的particle-hole assymetry term导致的。

本文的重中之重就是图3,给出了半占据态是自旋极化的证据。方法是分别加面外和面内磁场,abc中我们看到,加面外磁场这些绝缘态有一个很大的偏离,并出现了nu = 3的态(b中有很多线状的和震荡的特征,有点意思),加面内磁场则移动不大,也出现了nu=3的态。这三个图其实非常干净,这样的绝缘态的测量确实非常难测稳,还要注意居里热。调整电场并测变磁场,在面外磁场达到5T时发生了一个类似相变的信号。f,g综合了响应的变温信号,更清楚的给了相变和拟合出来的g=1.5因子(面内),g=3.5面外,面内g值非常接近自旋贡献g=2的理论值(用excitation gap拟合出来较小很正常)。结合理论,一个比较好的解释是这是一个自旋极化的态。

图4给出了另一些很小角度的device的图,观测到了可能有多个平带的信号。

这篇文章虽然没有像之前一样搞了个"breaking news",但是还是稳扎稳打,给出了不少多体的输运信号,也给了理论进一步的数据支持。

转角碳基异质结是一个高速发展的领域,尤其是最近,在twisted monolayer bilayer Gr中还做出来了(可能的)令人惊叹的C=2 的QAH。这样的简单粗暴但又粗中带细的小心测量的nature可以推动这个领域继续坚实、可靠可重复但又大胆的良性发展下去。


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国内也不是没有研究印第安人与美国白人关系论文,但就华盛顿时期美国政府对待印第安人态度。觉得华盛顿会剥皮印第安人不大可信



美国真正开始以强制驱逐和屠杀是1812年第二次独立战争开始,当然这也是想获得印第安人土地为基点




  

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