谢邀,问对人了。
答案是肯定的,可以用来做光刻,而且历史还挺悠久的,甚至现在还有在用的。
手机答题,全凭记忆,有时间和地点偏差的见谅。
X射线因为波长很短,所以几乎没有衍射效应,所以很早就进入了光刻技术研发的视野内,并且在八十年代就有了X射线光刻。九十年代,IBM在美国佛蒙特州建了一条采用同步辐射光源的X射线光刻机为主力的高频IC生产线,美国军方为主要客户。而当年X射线光刻技术,是当时的下一代光刻技术的强有力竞争者。后来随着准分子激光和GaF透镜技术的成熟,深紫外光刻技术延续了下去,在分辨率和经济性上都打败了X射线光刻。X射线光刻就退出了主流光刻技术的竞争。
现在用X射线光刻的,主要是LIGA技术,用来制造高深宽比结构的一种技术,可以制造出100:1的深宽比,应用于mems技术当中。
目前国内有两个地方可以做X射线光刻,一个是合肥同步辐射,一个是北京同步辐射。
由于X射线准直性非常好,传统的X射线光刻,是1:1复制的。掩模版使用的是硅梁支撑的低应力氮化硅薄膜,上面有一层图形化的金,作为掩蔽层。曝光方式采用扫描的方式,效率不高。
目前最先进的光学光刻是EUV,极紫外光刻。我们也称之为软X射线光刻,既有光学光刻的特征,也有X射线光刻的特征。极紫外波长很短,没有透镜能够放大缩小,所以只能采用凹面镜进行反射式缩放。而掩模版也采用反射式,曝光方式也是扫描,整个系统在真空下运行。