窃以为是实验做得少了。
用不干胶封箱胶带和烧烤用的铝箔就可以 DIY 一个高压电容来玩。这可以帮助理解电容是储存电荷的一个装置, 同时还可以储存电场能量。
至于原理,18世纪就有人发明了莱顿瓶( Leyden jar)。
最基本的电容器包括 2 个电极,儲存的电荷数量相等,符號相反。电极本身是导体,由介電質/绝缘体隔开。电极的金屬常用的鋁片或鋁箔。
事实上,两个存在电位差的相互之间有一定距离的导体就能形成“分布电容”,介质可以是它们之间的任何不良导体。例如三极管的任意两个极,电阻的两个引线,同一个线圈的两匝不同位置的导线。
电容和电阻, 电容和电感或者三者的组合可以构成 低通LPF、高通HPF以及带通BPF滤波器。
电容两端电压不能突变是因为电荷不能无中生有, 电荷的移动需要时间。电荷的总量除以电流的大小,单位(量纲)就是时间。
电容通高频、阻低频,同样是因为电荷的移动需要时间。
电容捉摸不透,是实验做得少了。
LCR 电路,需要做实验来理解和记忆它们的行为特点。
虽然统一场论、相对论以及麦克斯韦方程也许能帮助您理解电容器, 但一般来说,初中知识和足够的好奇和时间(也就是耐心)就够了。
说点离题的,耳机音响发烧友为了更低的 ESR、ESL 购买银箔电容是种令人发哂的举动。铝在 19 世纪拿破仑时代比黄金还珍贵。 如果需要更低的 ESR、ESL,买耐压更高的电容就够了。低介质损耗的无极电容有聚苯和云母电容。
不愿意动手, 一个简单的电路仿真的例子也可以帮助理解电容“分布电容”的行为。
*** 结电容影响了 Q1 的开关时间, 尽管您在图中看不到, 但是晶体管的 SPICE 模型里是有电容的
CJE=1.67169e-11 CJC=6.97553e-12
.MODEL Q2n5550g npn +IS=2.0224e-13 BF=244.645 NF=1.10004 VAF=226.045 +IKF=0.00672562 ISE=3.77781e-09 NE=3.82644 BR=24.4645 +NR=1.5 VAR=52.5701 IKR=0.0672562 ISC=1.74978e-14 +NC=1 RB=2.43982 IRB=0.1 RBM=0.102669 +RE=0.215028 RC=1.07514 XTB=0.603834 XTI=4 +EG=1.08787 CJE=1.67169e-11 VJE=0.99 MJE=0.258722 +TF=4.60207e-10 XTF=0.818874 VTF=8.82706 ITF=0.0104657 +CJC=6.97553e-12 VJC=0.539546 MJC=0.325708 XCJC=0.9 +FC=0.487522 CJS=0 VJS=0.75 MJS=0.5 +TR=9.57121e-06 PTF=0 KF=0 AF=1 https://www.mouser.com/ProductDetail/ON-Semiconductor/2N5550?qs=vLkC5FC1VN%2FatOqiLjunIQ==